Numéro de produit du fabricant:
IRF7910TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF7910TRPBF-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Description détaillée:
Mosfet Array 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Inventaire:
12823192
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SOUMETTRE
IRF7910TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
12V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1730pF @ 6V
Puissance - Max
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
IRF7910
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
IRF7910TRPBFTR
IRF7910TRPBFDKR
INFINFIRF7910TRPBF
SP001565662
IRF7910TRPBF-DG
IRF7910TRPBFCT
2156-IRF7910TRPBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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