Numéro de produit du fabricant:
IRF7759L2TR1PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF7759L2TR1PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 75 V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Inventaire:
12804688
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SOUMETTRE
IRF7759L2TR1PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Ta), 375A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12222 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DirectFET™ Isometric L8
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric L8
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IRF7759L2TR1PBFCT
IRF7759L2TR1PBFDKR
SP001566426
IRF7759L2TR1PBFTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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