IRF7523D1TRPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRF7523D1TRPBF

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF7523D1TRPBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Description détaillée:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™

Inventaire:

12805578
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRF7523D1TRPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
FETKY™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
210 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
1.25W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Micro8™
Emballage / Caisse
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IPA90R500C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 11A TO220-FP

infineon-technologies

IRFS4010PBF

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

infineon-technologies

IRL3102

MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB

infineon-technologies

IRFR3704ZPBF

MOSFET N-CH 20V 60A DPAK