Numéro de produit du fabricant:
IRF7343TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF7343TRPBF-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Description détaillée:
Mosfet Array 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Inventaire:
18654 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12823713
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SOUMETTRE
IRF7343TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
55V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.7A, 3.4A
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
740pF @ 25V
Puissance - Max
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
IRF734
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
SP001565516
IRF7343PBFCT
IRF7343PBFTR
*IRF7343TRPBF
IRF7343PBFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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