Numéro de produit du fabricant:
IRF7106
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF7106-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO
Inventaire:
12809945
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRF7106 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A, 2.5A
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
300pF @ 15V
Puissance - Max
2W
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
IRF71
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
95
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF7750TR
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
TC6320K6-G
MOSFET N/P-CH 200V 8DFN
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
