Numéro de produit du fabricant:
IRF6810STRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6810STRPBF-DG
Description:
MOSFET N CH 25V 16A S1
Description détaillée:
N-Channel 25 V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Inventaire:
12823136
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SOUMETTRE
IRF6810STRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1038 pF @ 13 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DirectFET™ Isometric S1
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric S1
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,800
Autres noms
IRF6810STRPBFCT
IRF6810STRPBFDKR
SP001530834
IRF6810STRPBF-DG
IRF6810STRPBFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLR3636TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
30775
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLR3636TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.73
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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