Numéro de produit du fabricant:
IRF6645TR1PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6645TR1PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Inventaire:
12803893
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SOUMETTRE
IRF6645TR1PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
890 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ SJ
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric SJ
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IRF6645TR1PBFCT
SP001574778
IRF6645TR1PBFDKR
IRF6645TR1PBFTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6645TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
21782
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6645TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.67
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP126N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
IRF3704STRR
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IRFP4768PBF
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
