Numéro de produit du fabricant:
IRF6643TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6643TRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 150 V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventaire:
10693 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12804463
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRF6643TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2340 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MZ
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MZ
Numéro de produit de base
IRF6643
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,800
Autres noms
IRF6643TRPBF-DG
SP001570070
IRF6643TRPBFDKR
IRF6643TRPBFCT
IRF6643TRPBFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3
IPI60R385CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3
IRF520NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK