IRF6629TRPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRF6629TRPBF

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF6629TRPBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventaire:

12807461
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SOUMETTRE

IRF6629TRPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Ta), 180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4260 pF @ 13 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MX
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MX

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,800
Autres noms
IRF6629TRPBFTR
IRF6629TRPBFCT
SP001526802
IRF6629TRPBFDKR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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