Numéro de produit du fabricant:
IRF6629TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6629TRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventaire:
12807461
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
yQQ7
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRF6629TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Ta), 180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4260 pF @ 13 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MX
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MX
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,800
Autres noms
IRF6629TRPBFTR
IRF6629TRPBFCT
SP001526802
IRF6629TRPBFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRLB8314PBF
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
IRL3103S
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
SPP02N60S5HKSA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
