IRF6619TR1PBF
Numéro de produit du fabricant:

IRF6619TR1PBF

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF6619TR1PBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 20 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventaire:

2000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12803360
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRF6619TR1PBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5040 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MX
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MX

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
IRF6619TR1PBFCT
IRF6619TR1PBFTR
SP001531686
IRF6619TR1PBFDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6619TR1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7158
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6619TR1-DG
PRIX UNITAIRE
1.19
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6619
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
13859
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6619-DG
PRIX UNITAIRE
1.21
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IPI80N06S3-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

infineon-technologies

IRF135SA204

MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7

infineon-technologies

IPB180N06S4H1ATMA2

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

infineon-technologies

IPB120N04S4L02ATMA1

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK