Numéro de produit du fabricant:
IRF6612TR1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6612TR1-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 136A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventaire:
12803846
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SOUMETTRE
IRF6612TR1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Ta), 136A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.3mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3970 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MX
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MX
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,800
Autres noms
IRF6612TR1CT
IRF6612TR
IRF6612TR-DG
IRF6612TR1-DG
IRF6612CT
SP001530704
IRF6612CT-DG
IRF6612TR1TR
IRF6612TR1INACTIVE
IRF6612
*IRF6612
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN3R5-30YL,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
7138
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN3R5-30YL,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.40
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN3R0-30YL,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
42077
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN3R0-30YL,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.42
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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