Numéro de produit du fabricant:
IRF6611
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6611-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventaire:
12804257
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SOUMETTRE
IRF6611 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Ta), 150A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.6mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4860 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.9W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MX
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MX
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,800
Autres noms
IRF6611CT
IRF6611TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN2R5-30YL,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
2090
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN2R5-30YL,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.39
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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