Numéro de produit du fabricant:
IRF6217TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6217TRPBF-DG
Description:
MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
Description détaillée:
P-Channel 150 V 700mA (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventaire:
12804829
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SOUMETTRE
IRF6217TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
700mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.4Ohm @ 420mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
150 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
IRF6217TRPBFCT
IFEINFIRF6217TRPBF
IRF6217TRPBF-DG
SP001564832
2156-IRF6217TRPBF
IRF6217TRPBFDKR
IRF6217TRPBFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6375
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
2121
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6375-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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