Numéro de produit du fabricant:
IRF5802TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF5802TRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Description détaillée:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventaire:
8278 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12804043
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SOUMETTRE
IRF5802TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
900mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
88 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Micro6™(TSOP-6)
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
IRF5802
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
IRF5802TRPBFTR
IRF5802TRPBF-DG
IRF5802TRPBFCT
SP001561828
IRF5802TRPBFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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