Numéro de produit du fabricant:
IRF3711
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF3711-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12803691
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SOUMETTRE
IRF3711 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2980 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRF3711
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP90NF03L
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
1000
NUMÉRO DE PIÈCE
STP90NF03L-DG
PRIX UNITAIRE
0.69
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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