Numéro de produit du fabricant:
IRF300P227
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF300P227-DG
Description:
MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Description détaillée:
N-Channel 300 V 50A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventaire:
268 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12815080
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SOUMETTRE
IRF300P227 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
StrongIRFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4893 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
313W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IRF300
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Autres noms
2156-IRF300P227
IFEINFIRF300P227
SP001582356
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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