IRF2807STRLPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRF2807STRLPBF

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF2807STRLPBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventaire:

1763 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12811079
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SOUMETTRE

IRF2807STRLPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
82A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3820 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
230W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRF2807

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800
Autres noms
IRF2807STRLPBFDKR
IRF2807STRLPBFTR
SP001564210
IRF2807STRLPBFCT
IRF2807STRLPBF-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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