Numéro de produit du fabricant:
IRF1902TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF1902TRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventaire:
12804312
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SOUMETTRE
IRF1902TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
85mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
310 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
IRF1902TRPBF-DG
IRF1902TRPBFTR
SP001564704
IRF1902TRPBFCT
IRF1902TRPBFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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