Numéro de produit du fabricant:
IRF150P221XKMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF150P221XKMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 150 V 186A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventaire:
12805345
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SOUMETTRE
IRF150P221XKMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
StrongIRFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
186A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 264µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6000 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
341W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IRF150
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Autres noms
SP001621154
IRF150P221
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF150P221AKMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
525
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF150P221AKMA1-DG
PRIX UNITAIRE
3.76
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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