Numéro de produit du fabricant:
IRF1405ZL
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF1405ZL-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Description détaillée:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Inventaire:
12814857
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SOUMETTRE
IRF1405ZL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.9mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4780 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
230W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRF1405ZL
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF1405ZLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
561
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF1405ZLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.34
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP015N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
SPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
LND150N3-G-P002
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
