Numéro de produit du fabricant:
IPW65R280C6FKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPW65R280C6FKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventaire:
12805684
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SOUMETTRE
IPW65R280C6FKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
950 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-3-1
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IPW65R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
240
Autres noms
2156-IPW65R280C6FKSA1-IT
SP000785060
IPW65R280C6
IPW65R280C6-DG
INFINFIPW65R280C6FKSA1
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK14N65W,S1F
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
TK14N65W,S1F-DG
PRIX UNITAIRE
1.41
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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