Numéro de produit du fabricant:
IPW60R045P7XKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPW60R045P7XKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Description détaillée:
N-Channel 650 V 61A (Tc) 201W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventaire:
1406 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13276449
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SOUMETTRE
IPW60R045P7XKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™ P7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
61A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.08mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3891 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
201W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-3-41
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IPW60R045
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
SP001866186
448-IPW60R045P7XKSA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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