Numéro de produit du fabricant:
IPU95R450P7AKMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPU95R450P7AKMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3
Description détaillée:
N-Channel 950 V 14A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventaire:
12803278
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPU95R450P7AKMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™ P7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
950 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 360µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1053 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO251-3
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
IPU95R450
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
SP001792326
IPU95R450P7AKMA1-DG
448-IPU95R450P7AKMA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFR2407PBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
IRF7809ATR
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
IRFHM4231TRPBF
MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
