Numéro de produit du fabricant:
IPT60R065S7XTMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPT60R065S7XTMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Description détaillée:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Inventaire:
12810863
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPT60R065S7XTMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™S7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
12V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 8A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 490µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 12 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1932 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
167W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HSOF-8-2
Emballage / Caisse
8-PowerSFN
Numéro de produit de base
IPT60R065
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
448-IPT60R065S7XTMA1DKR
SP003393016
448-IPT60R065S7XTMA1TR
448-IPT60R065S7XTMA1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPN60R360PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
IMZA65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
