Numéro de produit du fabricant:
IPS50R520CP
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPS50R520CP-DG
Description:
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3
Description détaillée:
N-Channel 550 V 7.1A (Tc) 66W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventaire:
12802851
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPS50R520CP Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
550 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
680 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
66W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO251-3-11
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base
IPS50R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
SP000236067
2156-IPS50R520CP-IT
IFEINFIPS50R520CP
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTU8N70X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
64
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTU8N70X2-DG
PRIX UNITAIRE
1.71
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
IPB160N04S4LH1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPI100N06S3L-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
IRFP7430PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC