Numéro de produit du fabricant:
IPS12CN10LGBKMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPS12CN10LGBKMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventaire:
12803113
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SOUMETTRE
IPS12CN10LGBKMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
69A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.8mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 83µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5600 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO251-3-11
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base
IPS12C
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
SP000311530
IPS12CN10L G
IPS12CN10L G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP12CN10LGXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
886
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP12CN10LGXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.73
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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