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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IPP77N06S3-09
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP77N06S3-09-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 55 V 77A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12804295
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SOUMETTRE
IPP77N06S3-09 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
77A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.1mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 55µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5335 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
107W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP77N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IPP77N06S3-09-DG
Fiches techniques
IPP77N06S3-09
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
IFEINFIPP77N06S3-09
IPP77N06S3-09IN
SP000088717
2156-IPP77N06S3-09-IT
IPP77N06S3-09-DG
IPP77N06S309X
IPP77N06S309XK
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMNH6008SCT
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMNH6008SCT-DG
PRIX UNITAIRE
1.18
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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