Numéro de produit du fabricant:
IPP60R022S7XKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP60R022S7XKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventaire:
177 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12822867
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SOUMETTRE
IPP60R022S7XKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™S7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
12V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.44mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5639 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
390W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP60R022
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
448-IPP60R022S7XKSA1
SP003393028
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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