Numéro de produit du fabricant:
IPP100N06S3-04
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP100N06S3-04-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventaire:
12823353
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SOUMETTRE
IPP100N06S3-04 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
314 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14230 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
214W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP100N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
IPP100N06S304XK
IPP100N06S304X
IPP100N06S3-04IN
SP000102212
IPP100N06S3-04-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP90N055T2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP90N055T2-DG
PRIX UNITAIRE
1.06
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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