Numéro de produit du fabricant:
IPP023N10N5AKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP023N10N5AKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaire:
13064116
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SOUMETTRE
IPP023N10N5AKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
OptiMOS™
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15600 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP023
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP001120504
IPP023N10N5AKSA1-ND
448-IPP023N10N5AKSA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP023N10N5XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
443
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP023N10N5XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
3.00
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
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MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
IPP70N12S311AKSA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
