Numéro de produit du fabricant:
IPN80R2K4P7ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPN80R2K4P7ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Description détaillée:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventaire:
13995 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13064083
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SOUMETTRE
IPN80R2K4P7ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
150 pF @ 500 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6.3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
IPN80R2
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
INFINFIPN80R2K4P7ATMA1
IPN80R2K4P7ATMA1-ND
IPN80R600P7
2156-IPN80R2K4P7ATMA1
IPN80R2K4P7ATMA1CT
SP001664994
IPN80R2K4P7ATMA1DKR
IPN80R2K4P7ATMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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