Numéro de produit du fabricant:
IPN60R2K1CEATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPN60R2K1CEATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Description détaillée:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Inventaire:
11299 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12813053
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPN60R2K1CEATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CE
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.1Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
140 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-3
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
IPN60R2
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
INFINFIPN60R2K1CEATMA1
2156-IPN60R2K1CEATMA1
IPN60R2K1CEATMA1TR
IPN60R2K1CEATMA1DKR
IPN60R2K1CEATMA1CT
SP001434886
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPW50R140CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
IPC100N04S52R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IRL40B209
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
