Numéro de produit du fabricant:
IPN60R1K0PFD7SATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPN60R1K0PFD7SATMA1-DG
Description:
CONSUMER PG-SOT223-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4.7A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventaire:
12964998
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SOUMETTRE
IPN60R1K0PFD7SATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ PFD7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
230 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
IPN60R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
448-IPN60R1K0PFD7SATMA1CT
448-IPN60R1K0PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R1K0PFD7SATMA1TR
SP005354000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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