Numéro de produit du fabricant:
IPL65R099C7AUMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPL65R099C7AUMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Description détaillée:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventaire:
9332 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12818138
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPL65R099C7AUMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ C7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
99mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2140 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
128W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-VSON-4
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN
Numéro de produit de base
IPL65R099
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
448-IPL65R099C7AUMA1DKR
448-IPL65R099C7AUMA1CT
IFEINFIPL65R099C7AUMA1
SP001032722
2156-IPL65R099C7AUMA1
IPL65R099C7AUMA1-DG
448-IPL65R099C7AUMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
2A (4 Weeks)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RSR010N10HZGTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
RSR025N03HZGTL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
RSQ035N03HZGTR
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
