Numéro de produit du fabricant:
IPI70N04S406AKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPI70N04S406AKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventaire:
500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12805419
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPI70N04S406AKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 26µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2550 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
58W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IPI70N04
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
INFINFIPI70N04S406AKSA1
2156-IPI70N04S406AKSA1
SP000711484
IPI70N04S4-06
IPI70N04S4-06-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRLR8721TRPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
IRL1404ZPBF
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
IRLR3715TR
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
