Numéro de produit du fabricant:
IPI25N06S3-25
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPI25N06S3-25-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 55 V 25A (Tc) 48W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventaire:
12804376
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPI25N06S3-25 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
25.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1862 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
48W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IPI25N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP000087997
IPI25N06S325X
IPI25N06S325XK
IPI25N06S3-25IN
IPI25N06S3-25-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFZ44ZLPBF
FABRICANT
International Rectifier
QUANTITÉ DISPONIBLE
1635
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFZ44ZLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.96
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP80N06S209AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
IRFH8318TRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN