Numéro de produit du fabricant:
IPI051N15N5AKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPI051N15N5AKSA1-DG
Description:
MV POWER MOS
Description détaillée:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventaire:
12802782
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SOUMETTRE
IPI051N15N5AKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
OptiMOS™ 5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 264µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7800 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3-1
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IPI051
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
SP001326440
2156-IPI051N15N5AKSA1
INFINFIPI051N15N5AKSA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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