Numéro de produit du fabricant:
IPI029N06NAKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPI029N06NAKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventaire:
61 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12805752
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SOUMETTRE
IPI029N06NAKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 75µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4100 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IPI029
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
IPI029N06N
SP000962134
2156-IPI029N06NAKSA1
INFINFIPI029N06NAKSA1
IPI029N06N-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFR5305CPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IPD50R950CEAUMA1
CONSUMER
IPL60R365P7AUMA1
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