Numéro de produit du fabricant:
IPG20N06S415ATMA2
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPG20N06S415ATMA2-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Inventaire:
3754 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13064001
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SOUMETTRE
IPG20N06S415ATMA2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Fabricant
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A
rds activé (max) @ id, vgs
15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2260pF @ 25V
Puissance - Max
50W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-4
Numéro de produit de base
IPG20N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
IPG20N06S415ATMA2-ND
448-IPG20N06S415ATMA2CT
448-IPG20N06S415ATMA2TR
448-IPG20N06S415ATMA2DKR
SP001028634
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPG16N10S4L61AATMA1
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