Numéro de produit du fabricant:
IPDD60R125G7XTMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPDD60R125G7XTMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Description détaillée:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Inventaire:
1692 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12803150
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SOUMETTRE
IPDD60R125G7XTMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ G7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 320µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1080 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
120W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HDSOP-10-1
Emballage / Caisse
10-PowerSOP Module
Numéro de produit de base
IPDD60
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,700
Autres noms
IPDD60R125G7XTMA1DKR
SP001632876
2156-IPDD60R125G7XTMA1
IPDD60R125G7XTMA1CT
IPDD60R125G7XTMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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CONSUMER
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