Numéro de produit du fabricant:
IPD80N06S3-09
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPD80N06S3-09-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Description détaillée:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventaire:
12803531
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SOUMETTRE
IPD80N06S3-09 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 55µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
107W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3-11
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD80N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
2156-IPD80N06S3-09-ITTR
SP000264473
INFINFIPD80N06S3-09
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD65N55F3
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2240
NUMÉRO DE PIÈCE
STD65N55F3-DG
PRIX UNITAIRE
0.93
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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