Numéro de produit du fabricant:
IPD65R650CEATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPD65R650CEATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventaire:
12805721
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SOUMETTRE
IPD65R650CEATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
440 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
86W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD65R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SP001295798
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK7P65W,RQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
1403
NUMÉRO DE PIÈCE
TK7P65W,RQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.61
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY4N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
70
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY4N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
1.07
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD65R650CEAUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2270
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD65R650CEAUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.33
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
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