Numéro de produit du fabricant:
IPD60R360P7SAUMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPD60R360P7SAUMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventaire:
69 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12803010
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SOUMETTRE
IPD60R360P7SAUMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 140µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
555 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
41W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD60R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
ROCINFIPD60R360P7SAUMA1
IPD60R360P7SAUMA1TR
IPD60R360P7SAUMA1DKR
IPD60R360P7SAUMA1CT
2156-IPD60R360P7SAUMA1
IPD60R360P7SAUMA1-DG
SP001658166
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM70N380CP ROG
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
14899
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM70N380CP ROG-DG
PRIX UNITAIRE
1.39
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD60R360P7SE8228AUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2439
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD60R360P7SE8228AUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.33
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
IPI50CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
IRF1010EZSTRLP
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
IRF7413A
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
