Numéro de produit du fabricant:
IPD50R399CPATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPD50R399CPATMA1-DG
Description:
LOW POWER_LEGACY
Description détaillée:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventaire:
12803414
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SOUMETTRE
IPD50R399CPATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CP
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
890 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3-313
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD50R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
448-IPD50R399CPATMA1TR
2156-IPD50R399CPATMA1TR
SP001117700
IPD50R399CPATMA1-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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