Numéro de produit du fabricant:
IPD50R2K0CEBTMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPD50R2K0CEBTMA1-DG
Description:
CONSUMER
Description détaillée:
N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventaire:
12800310
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SOUMETTRE
IPD50R2K0CEBTMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™ CE
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
13V
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
124 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD50R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SP001023988
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD50R2K0CEAUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
3163
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD50R2K0CEAUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.15
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
IPB80R290C3AATMA1
MOSFET P-CH TO263-3
IPD135N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
