Numéro de produit du fabricant:
IPB80N06S407ATMA2
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB80N06S407ATMA2-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventaire:
1176 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12800347
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SOUMETTRE
IPB80N06S407ATMA2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 40µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
79W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB80N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
2156-IPB80N06S407ATMA2
448-IPB80N06S407ATMA2DKR
IFEINFIPB80N06S407ATMA2
SP001028672
IPB80N06S407ATMA2-DG
448-IPB80N06S407ATMA2CT
448-IPB80N06S407ATMA2TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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