Numéro de produit du fabricant:
IPB80N06S2L06ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB80N06S2L06ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Description détaillée:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventaire:
12801030
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPB80N06S2L06ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 180µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB80N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB80N06S2L-06-DG
IPB80N06S2L-06
IPB80N06S2L06ATMA1TR
SP000218163
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BUK966R5-60E,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4779
NUMÉRO DE PIÈCE
BUK966R5-60E,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.89
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB80N06S2L06ATMA2
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
320
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB80N06S2L06ATMA2-DG
PRIX UNITAIRE
1.24
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
STB150NF55T4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
969
NUMÉRO DE PIÈCE
STB150NF55T4-DG
PRIX UNITAIRE
1.68
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB85NF55T4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
998
NUMÉRO DE PIÈCE
STB85NF55T4-DG
PRIX UNITAIRE
1.22
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN7R6-60BS,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
7953
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN7R6-60BS,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.65
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
BSP322PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
