Numéro de produit du fabricant:
IPB65R310CFDATMA2
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB65R310CFDATMA2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 11.4A (Tc) 104.2W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaire:
937 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13064132
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SOUMETTRE
IPB65R310CFDATMA2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CFD2
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 400µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1100 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
104.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB65R310
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
448-IPB65R310CFDATMA2TR
IPB65R310CFDATMA2-ND
SP001977040
448-IPB65R310CFDATMA2CT
448-IPB65R310CFDATMA2DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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