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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IPB60R190C6ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB60R190C6ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaire:
1265 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12800409
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SOUMETTRE
IPB60R190C6ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ C6
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
151W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB60R190
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IPB60R190C6ATMA1-DG
Fiches techniques
IPB60R190C6ATMA1
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB60R190C6ATMA1DKR
IPB60R190C6INTR-DG
INFINFIPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1TR
IPB60R190C6
2156-IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6INCT
SP000641916
IPB60R190C6INDKR
IPB60R190C6INDKR-DG
IPB60R190C6INCT-DG
IPB60R190C6INTR
IPB60R190C6ATMA1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCB20N60FTM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
2398
NUMÉRO DE PIÈCE
FCB20N60FTM-DG
PRIX UNITAIRE
2.61
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
TK20G60W,RVQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
TK20G60W,RVQ-DG
PRIX UNITAIRE
1.14
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB20N65M5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
845
NUMÉRO DE PIÈCE
STB20N65M5-DG
PRIX UNITAIRE
1.46
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHB18N60E-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHB18N60E-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.49
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB21N65M5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
1748
NUMÉRO DE PIÈCE
STB21N65M5-DG
PRIX UNITAIRE
2.31
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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IPD06P003NATMA1
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MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
IPC60N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23