Numéro de produit du fabricant:
IPB34CN10NGATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB34CN10NGATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 27A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 27A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaire:
12803349
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SOUMETTRE
IPB34CN10NGATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
34mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 29µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1570 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
58W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB34C
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB34CN10N G-DG
IPB34CN10NGATMA1TR
SP000277693
IPB34CN10N G
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PHB27NQ10T,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
7068
NUMÉRO DE PIÈCE
PHB27NQ10T,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.55
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN034-100BS,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4605
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN034-100BS,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.51
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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